特許

J-GLOBAL ID：200903087124006965

半導体装置の製造方法

発明者： 山森 篤
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-244188
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106276
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】フッ素(F)イオンによる層間絶縁膜の腐食を防止する。【構成】Si基板1の一主面にBF2 + 4のイオン注入により不純物拡散層5を形成したのち850〜950°Cの温度範囲で熱処理を行う。次でBPSG膜7を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート酸化膜を介してゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとしBF2 + をイオン注入し拡散層を形成する工程と、拡散層が形成された前記基板を850〜950°Cで熱処理しフッ素イオンを除去したのち全面に層間絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-263836   出願人：富士通株式会社
• 特開平1-102966
  
• 特開昭63-155720