特許

J-GLOBAL ID：200903087126809968

シリコン又はゲルマニウム化合物超電導物質とその超電導体

発明者： 今井 基晴
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-000862
公開番号（公開出願番号）：特開2002-211923
出願日： 2001年01月05日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：

【要約】【課題】 高性能デバイスを作製するための新素材として有望な、シリコン又はゲルマニウム化合物超電導物質とこれを含む超電導体を提供する。【解決手段】 組成式が、A<SB>x</SB>(B<SB>1-y</SB>C<SB>y</SB>)<SB>2</SB>(0.8<x<1.2、0<y<1、A=Ca、Sr、Ba、又はこれら元素の2種以上、B=Al、Ga、In、又はこれら元素の2種以上、C=Si、Ge、又はこれら元素の2種)で示され、原子Bと原子Cからなるハニカム格子と原子Aの六方格子とからなる結晶構造を有し、臨界温度が3K以上である。

請求項（抜粋）：

組成式が、A<SB>x</SB>(B<SB>1-y</SB>C<SB>y</SB>)<SB>2</SB>(0.8<x<1.2、0<y<1、A=Ca、Sr、Ba、又はこれら元素の2種以上、B=Al、Ga、In、又はこれら元素の2種以上、C=Si、Ge、又はこれら元素の2種)で示され、原子Bと原子Cからなるハニカム格子と原子Aの六方格子とからなる結晶構造を有し、臨界温度が3K以上であることを特徴とするシリコン又はゲルマニウム化合物超電導物質。

IPC (6件)：

C01G 17/00 ,  C01F 7/00 ,  C01G 1/00 ,  C01G 15/00 ,  C22C 28/00 ,  H01L 39/12 ZAA

FI (7件)：

C01G 17/00 ,  C01F 7/00 Z ,  C01G 1/00 S ,  C01G 15/00 B ,  C01G 15/00 D ,  C22C 28/00 B ,  H01L 39/12 ZAA C

Fターム (13件)：

4G047JA01 ,  4G047JB02 ,  4G047JC16 ,  4G047KA01 ,  4G047KE01 ,  4G047LB01 ,  4G076AA18 ,  4G076AB18 ,  4G076BA09 ,  4G076CA02 ,  4G076CA32 ,  4G076DA04 ,  4G076DA30