浮遊ゲートを有する半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-289867
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148458
出願日： 1995年11月08日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】コンタクトホールのサイズを小さくし、セルサイズの縮小が可能な浮遊ゲートを有する半導体素子の製造方法の提供。【解決手段】半導体基板20に素子分離領域、第1絶縁膜、第1導電膜を形成する工程、第1導電膜をパターニングして浮遊ゲート1次パターンを形成、イオン注入して拡散領域を形成する工程、第2絶縁膜を形成しエッチングバックして側壁スペーサ25を形成し、第3絶縁膜を形成する工程、第2導電膜、第4絶縁膜を形成しパターニングして、コンタクトホールを形成する部位は広い間隔で、その他の部位では狭い間隔でコントロールゲート26を形成する工程、浮遊ゲート1次パターンを食刻して浮遊ゲート30′を形成しイオン注入してソース領域とドレーン領域とを形成する工程、第5絶縁膜を形成し非等方性食刻してコンタクトホールを形成する工程、第3導電膜を形成しパターニングして配線膜34を形成する工程を含んでなる。

請求項（抜粋）：

(1)半導体基板に素子分離領域を形成した後、第1絶縁膜を形成し、該第1絶縁膜の上に第1導電膜を形成する工程と、(2)上記第1導電膜を帯状にパターニングして浮遊ゲート1次パターンを形成し、不純物イオンを注入して上記半導体基板の表面部に拡散領域を形成する工程と、(3)上記工程を経た上記半導体基板の全面に第2絶縁膜を形成し、エッチングバックして、上記浮遊ゲート1次パターンの側面を上記第2絶縁膜からなる側壁スペーサで充填した後、上記工程を経た上記半導体基板の全面に第3絶縁膜を形成する工程と、(4)上記第3絶縁膜上に第2導電膜を形成し、該第2導電膜上に第4絶縁膜を形成した後、該第4絶縁膜と上記第2導電膜とをパターニングしてコントロールゲートを形成し、その際、後にコンタクトを形成する部位にあっては上記コントロールゲートの間隔を広くし、その他の領域にあっては上記コントロールゲートの間隔を狭く形成する工程と、(5)上記コントロールゲート上の上記第4絶縁膜をマスクとして浮遊ゲート1次パターンを食刻して浮遊ゲートを形成し、不純物イオンを注入してソース領域とドレーン領域とを形成する工程と、(6)上記工程を経た上記半導体基板の全面に第5絶縁膜を厚く形成した後、該第5絶縁膜を非等方性食刻して、上記コントロールゲートの間隔が広く形成された部位にコンタクトホールを形成する工程と、(7)上記工程を経た上記半導体基板の全面に第3導電膜を形成して上記コンタクトホールを充填した後、上記第3導電膜をパターニングして配線膜を形成する工程と、を含んでなることを特徴とする浮遊ゲートを有する半導体素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/76 , H01L 21/768 , H01L 27/115

FI (4件)：

H01L 29/78 371 , H01L 21/76 M , H01L 21/90 B , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-009448 出願人：三菱電機株式会社
特開平1-208866
特開昭61-024283

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