特許
J-GLOBAL ID：200903087236452240

半導体装置の検査方法および半導体装置検査器

発明者：
小山 徹

小山 徹 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-242489
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087451
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 ビームによって半導体中に誘起される電流を利用して半導体装置の検査を行う際に、基板の素子が形成されている側への機械的な接触により発生する不具合を防止する。【解決手段】 荷電ビーム20によって電荷を供給する。供給した電荷によってを供給しつつレーザービーム8によってキャリアを発生させる。荷電ビーム20によってシリコン基板1の表面に機械的な接触をせずにキャリアの発生に関連する電流を取り出ことができる。
請求項（抜粋）：
pn接合部にビームを照射することによりキャリアを発生させる工程と、前記pn接合部につながる配線層に荷電ビームを照射することによって、前記キャリアの発生に関連して流れる電流を検出する工程とを備える半導体装置の検査方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ,  G01R 31/26
FI (2件)：
H01L 21/66 Q ,  G01R 31/26 J
引用特許：
審査官引用 (3件)

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