特許
J-GLOBAL ID：200903087304725820
ミリメートル波LTCCパッケージ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330693
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243307
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 多層基体内に形成された導波管からマイクロストリップへの移行部分を提供する。【解決手段】 上記移行部分は、金属ベース、多層回路、金属リング、金属カバーを含むパッケージ内に組み込まれる。導波管を含む多層回路は少なくとも第1の誘電性層、第2の誘電性層、及び第1の誘電性層の下側と第2の誘電体層の上側との間に配置された第1の導電性層を有している。電磁反射性材料で導波管の壁を被膜し、信号は反射によって導波管から第1の誘電性層へ向かうことができる。スルーめっきしたバイアが、第1の誘電性層上のランド領域の周囲の外形を近似するように配列されて導波管延長を形成し、信号を第1の誘電性層を通して案内する。マイクロストリップは第1の誘電性層の上側に配置され、導波管の上に且つ導波管延長内に位置するE面プローブに接続されている。
請求項（抜粋）：
導波管からマイクロストリップへの移行部分において、上側及び下側を有する第1の誘電性層、上側及び下側を有する第2の誘電性層、及び上記第1の誘電性層の下側と上記第2の誘電性層の上側との間に配置されている第1の導電性層を含み、導波管を形成するように上記第2の誘電性層の材料が除去され、且つ上記第1の導電性層が選択的にパターン化されている多層基体と、上記第1の誘電性層の上記上側に被膜され、上記導波管の上に位置するランド領域を形成するように選択的にパターン化されている導電性被膜と、少なくとも上記第1の誘電性層内に位置している導波管の延長と、上記ランド領域内に位置しているE面プローブと、上記第1の誘電性層の上記上側に位置し、上記E面プローブに接続されているマイクロストリップと、を備えていることを特徴とする導波管からマイクロストリップへの移行部分。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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