特許
J-GLOBAL ID：200903087316318138

誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ

発明者：
神垣 耕世

神垣 耕世 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-201649
公開番号（公開出願番号）：特開平11-043371
出願日： 1997年07月28日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】DCバイアス印加下でも大きな比誘電率を示し、かつ静電容量の温度変化率が小さく、高周波領域においても比誘電率が大きい誘電体薄膜およびセラミックコンデンサを提供する。【解決手段】金属元素としてPb、Mg、Nb、TiおよびSnを含むペロブスカイト型複合酸化物からなる膜厚2μm以下の誘電体薄膜であって、金属元素酸化物のモル比による組成式を(1-x-y)Pba (Mgb/3 Nb2/3 )O3 ・xPba TiO3 ・yPba SnO3 と表した時、x、yが図1における点A-B-C-D-E-Aで囲まれる領域の範囲内であり、かつaおよびbが1≦a≦1.10、1≦b≦1.15を満足するものである。
請求項（抜粋）：
金属元素としてPb、Mg、Nb、TiおよびSnを含むペロブスカイト型複合酸化物からなる膜厚2μm以下の誘電体薄膜であって、金属元素酸化物のモル比による組成式を(1-x-y)Pba (Mgb/3 Nb2/3 )O3 ・xPba TiO3・yPba SnO3と表した時、前記x、yが図1における点A-B-C-D-E-Aで囲まれる領域の範囲内であり、かつ前記aおよびbが1≦a≦1.101≦b≦1.15を満足することを特徴とする誘電体薄膜。
IPC (6件)：
C04B 35/495 ,  C04B 35/46 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 313 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 358
FI (6件)：
C04B 35/00 J ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/12 313 Z ,  H01G 4/12 358 ,  C04B 35/46 H ,  H01G 4/06 102
引用特許：
審査官引用 (3件)

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