特許

J-GLOBAL ID：200903087343059349

レベンソン型位相シフトマスクの製造方法

発明者： 山田 芳郎 ,  千葉 和明 ,  狩川 英聖 ,  海野 浩昌 ,  服部 祐介
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-321500
公開番号（公開出願番号）：特開平9-160218
出願日： 1995年12月11日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】レベンソン型位相シフトマスクの製造において、位相シフト孔設部のエッチング形成に使用するレジストパターンのレジスト残り5a1 によって位相シフト孔設部内に発生する突起状などのエッチング残り1a1 を解消して良好なレベンソン型位相シフトマスクAを製造することにある。【解決手段】透明基板1上にレジストパターン5aを設けてエッチング工程により透明基板1をエッチングして位相シフト孔設部1bを形成するレベンソン型位相シフトマスクの製造方法において、エッチング工程をウエットエッチング方式若しくはドライエッチング方式又はそれらの方式の併用にて第1回目から複数回に亘って繰り返し行い、第2回目以降は各回毎にレジストパターン5aの剥離とレジストパターン5aの再形成を行う。

請求項（抜粋）：

透明基板1上にレジストパターン5aを設けてエッチング工程により透明基板1上に位相シフト孔設部1bを形成するレベンソン型位相シフトマスクの製造方法において、エッチング工程をウエットエッチング方式若しくはドライエッチング方式又はそれらの方式の併用にて第1回目から複数回に亘って繰り返し行い、第2回目以降は各回毎にレジストパターン5aの剥離とレジストパターン5aの再形成を行うことを特徴とするレベンソン型位相シフトマスクの製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 欠陥のないプリントレチクルおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-153464   出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド