半導体レーザユニット

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早川政名 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-174683
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012972
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】部品点数の削減と組み立て作業の簡素化を図って、近年における光応用機器の低価格化の要望に対応可能な半導体レーザユニットを提供する。【解決手段】並列状のリードピン4が樹脂成形部5によって保持され、該樹脂成形部5を円板形ステム3に装着すれば、各リードピン4a、4b、4c...が円板形ステム3の周方向に沿って並列状に配設されると共に、各リードピン4a、4b、4c...と金属製ステム3との絶縁がなされる。

請求項（抜粋）：

光源用のレーザダイオードチップと信号読取用の受光素子を、金属製の円板形ステムに搭載すると共に、そのレーザダイオードチップ又は受光素子に電気的に接続する複数のリードピンを、前記レーザダイオードチップと受光素子を囲むように円板形ステムの周方向に沿って並列状に配設してなる半導体レーザユニットにおいて、上記複数のリードピンを樹脂成形部に鉛直方向をもって保持させると共に、該樹脂成形部を、前記円板形ステムに設けた装着孔に嵌合状に装着して一つのパッケージにしたことを特徴とする半導体レーザユニット。

IPC (2件)：

H01S 5/30 , G11B 7/125

FI (2件)：

H01S 3/18 , G11B 7/125 A

Fターム (11件)：

5D119AA40 , 5D119FA05 , 5D119FA16 , 5D119FA22 , 5D119FA33 , 5D119NA04 , 5F073BA06 , 5F073FA04 , 5F073FA27 , 5F073FA28 , 5F073FA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-028281
特開平1-278761
ホログラム型半導体レーザ装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-313153 出願人：シャープ株式会社

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