特許

J-GLOBAL ID：200903087355970071

研磨剤、研磨方法、および半導体装置の製造方法

発明者： 岸井 貞浩 ,  大石 明良 ,  鈴木 隣太郎 ,  塙 健三 ,  植田 成生
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  三井金属鉱業株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-169057
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022888
出願日： 1995年07月04日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【課題】 絶縁層上に堆積された導体層を研磨して、前記絶縁層中に形成された凹部を埋めるように導体パターンを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、研磨工程の際に生じる前記導体パターン中のシームの侵食を最小化する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 前記導体層を、MnO2 を砥粒として含む研磨剤により、前記絶縁層に対して選択的に、液体酸化剤を使うこと無く研磨し、さらに酸処理により残留しているMnO2 を溶解・除去する。

請求項（抜粋）：

MnO2 またはMnO2 を主成分とする砥粒を含む研磨剤。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24D 3/00 320

FI (4件)：

H01L 21/304 321 P ,  H01L 21/304 321 A ,  H01L 21/304 321 S ,  B24D 3/00 320 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• メカノケミカル研摩用研摩剤、および材料片を研摩する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-260086   出願人：ビューラーリミテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-231283   出願人：株式会社東芝
• 特開昭48-034396
  
• 特開昭64-087930