半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-231283
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086216
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】本発明は、研磨後の研磨粒子の残存量を極力少なくし、ディッシング等を起こすことなく研磨することができ、良好に膜の平坦化、埋め込み金属配線形成等を行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】有機高分子化合物からなる球形粒子または少なくとも炭素を主成分とする球形粒子19を研磨粒子として用いて被加工膜を研磨する工程を具備することを特徴としている。特に、研磨後に前記研磨粒子19を燃焼させることにより除去することが好ましい。

請求項（抜粋）：