半導体素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-243263
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057167
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜とチャネル及びその界面の欠陥がなく、高品質・高性能な半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性の高圧合成ダイヤモンド単結晶基板1上に、高濃度Bドープ半導体ダイヤモンド層を形成し、反応性イオンエッチングにより、ソース及びドレイン領域となる半導体ダイヤモンド層2a及び2bを形成する。更に、半導体ダイヤモンド2a、2b上を部分的に覆うマスク5aを形成した後、マイクロ波プラズマCVD法により全面に低濃度Bドープp形半導体ダイヤモンド薄膜を、例えば0.1μmの厚さに合成する。そして、マスク5a上に形成されたダイヤモンド薄膜と共にマスク5aを除去し、チャネル層となる半導体ダイヤモンド薄膜層6を形成する。その後、半導体ダイヤモンド層2a及び2b上に電極7、8を形成する。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に局所的に形成された第1及び第2の半導体領域と、前記第1及び第2の半導体領域上に直接形成され前記第1及び第2の半導体領域より不純物濃度が低い第3の半導体領域と、を有し、前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域との間を移動する電荷が前記第3の半導体領域を経由するものであることを特徴とする半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 29/861 , H01L 33/00

FI (7件)：

H01L 33/00 A , H01L 29/80 B , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 618 B , H01L 29/91 F

Fターム (47件)：

5F040DA01 , 5F040DA20 , 5F040DA21 , 5F040DC01 , 5F040ED03 , 5F040ED04 , 5F040EE04 , 5F040EH02 , 5F040FC09 , 5F041AA40 , 5F041CA33 , 5F041CA64 , 5F041CA74 , 5F041CA83 , 5F041CA85 , 5F102FA01 , 5F102GA14 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GL02 , 5F102GM02 , 5F102GT02 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC15 , 5F110AA07 , 5F110AA13 , 5F110AA14 , 5F110BB03 , 5F110CC01 , 5F110DD04 , 5F110EE03 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG01 , 5F110GG32 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK08 , 5F110HK25 , 5F110HK35

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-094429
特開平1-259555
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-180899 出願人：住友電気工業株式会社

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