特許

J-GLOBAL ID：200903087402160555

窒化物系半導体発光素子

発明者： 井上 大二朗 ,  野村 康彦 ,  畑 雅幸 ,  狩野 隆司 ,  山口 勤
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-109596
公開番号（公開出願番号）：特開2008-182275
出願日： 2008年04月18日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：

【課題】コンタクト層での光吸収損失を低減することによって、発光効率を向上させることが可能な窒化物系半導体素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体発光素子は、サファイア基板1上に形成されたn型コンタクト層4と、n型コンタクト層4上に形成され、窒化物系半導体層からなるMQW活性層5と、MQW活性層5上に形成されたp型クラッド層7と、p型クラッド層7上に形成されたアンドープコンタクト層8と、アンドープコンタクト層8上に形成されたp側電極9とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1導電型の第1窒化物系半導体層と、 前記第1窒化物系半導体層上に形成され、窒化物系半導体層からなる活性層と、 前記活性層上に形成された第2導電型の第2窒化物系半導体層と、 前記第2窒化物系半導体層上に形成されたアンドープコンタクト層と、 前記アンドープコンタクト層上に形成された電極とを備えた、窒化物系半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  H01S 5/042

FI (4件)：

H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01S5/323 610 ,  H01S5/042 614

Fターム (24件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA77 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB36 ,  5F173AA08 ,  5F173AF75 ,  5F173AF80 ,  5F173AG09 ,  5F173AK08 ,  5F173AP06 ,  5F173AP19 ,  5F173AP20 ,  5F173AP47 ,  5F173AR23 ,  5F173AR63 ,  5F173AR82

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-233009   出願人：株式会社東芝