特許

J-GLOBAL ID：200903006295863165

半導体発光素子

発明者： 鈴 木 伸 洋 ,  菅 原 秀 人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-233009
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060720
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 動作電圧を低減し、汎用されている電源電圧を用いて安定に動作可能な窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 バンドギャップの大きい窒化物半導体層とバンドギャップの小さい窒化物半導体層とを交互に積層させた超格子構造を有し、p型ドーパントがバンドギャップの大きい窒化物半導体層に選択的にドープされているコンタクト層を用いる。窒化物半導体においては、Al組成を上昇させてバンドギャップを大きくした結晶は硬度が高く、In組成を上昇させてバンドギャップを小さくした結晶は硬度が低い。硬度の低い窒化物半導体層は緩衝層としてし結晶の歪みを緩和し結晶性を改善する役割を有する。そして、本発明においては、このような軟らかい半導体層をノンドープとすることにより、結晶性の劣化を防ぎ、緩衝層としての作用を十分に発揮させることができる。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体からなるコンタクト層と、前記コンタクト層の表面に接触して設けられたp側電極と、を備えた半導体発光素子であって、前記コンタクト層は、バンドギャップの大きい窒化物半導体層とバンドギャップの小さい窒化物半導体層とを交互に積層させた超格子構造を有し、p型ドーパントが前記バンドギャップの大きい窒化物半導体層に選択的にドープされていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (29件)：

5F041AA21 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CA99 ,  5F041FF01 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB14 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073EA07 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-161452   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-326334   出願人：ローム株式会社
• 光半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-015454   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-279967   出願人：日亜化学工業株式会社