半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-100713
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299510
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】フォトリソグラフィー法により製造される半導体装置において、絶縁層樹脂の硬化前にエッチング液やメッキ液に暴露されても、パターンニング精度の良い絶縁樹脂層を有する半導体装置を提供することにある。【解決手段】半導体ウエハー表面に、少なくとも1個のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有するフェノールノボラック(イ)、エポキシ樹脂(ロ)、及び、光重合開始剤(ハ)を含んでなり、且つ、光硬化成分を80重量%から20重量%、熱硬化成分を20重量%から80重量%含有する感光性樹脂組成物よりなる絶縁樹脂層が積層され、その上に銅箔のエッチングにより形成された再配線層が位置し、半導体ウエハー上のアルミパッド部をフォトリソグラフィー法により開口し、再配線層とアルミパッド部をワイヤーボンディング接続することを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハー表面に、少なくとも1個のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有するフェノールノボラック(イ)、エポキシ樹脂(ロ)、及び、光重合開始剤(ハ)を含んでなり、且つ、光硬化成分を80重量%から20重量%、熱硬化成分を20重量%から80重量%含有する感光性樹脂組成物よりなる絶縁樹脂層が積層され、その上に銅箔のエッチングにより形成された再配線層が設けられ、絶縁樹脂層における半導体ウエハー上のアルミパッド部をフォトリソグラフィー法により開口し、再配線層とアルミパッド部をワイヤーボンディング接続されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/12 501 , H01L 23/12 , C08G 59/30 , C08G 59/62 , H01L 21/312

FI (5件)：

H01L 23/12 501 P , H01L 23/12 501 V , C08G 59/30 , C08G 59/62 , H01L 21/312 D

Fターム (20件)：

4J036AB01 , 4J036AB07 , 4J036AD07 , 4J036AD08 , 4J036AF08 , 4J036AK17 , 4J036EA04 , 4J036FB08 , 4J036GA26 , 4J036HA02 , 4J036JA07 , 4J036JA08 , 4J036KA01 , 5F058AA10 , 5F058AC01 , 5F058AC06 , 5F058AC07 , 5F058AF06 , 5F058AF10 , 5F058AH03

引用特許：

審査官引用 (2件)

感光性樹脂組成物及びソルダーレジスト用感光性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-348554 出願人：日本特殊陶業株式会社
感光性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-277055 出願人：住友ベークライト株式会社

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