特許

J-GLOBAL ID：200903087418831042

基板の処理方法およびその装置

発明者： 矢田 秀雄
出願人/特許権者： 島田理化工業株式会社
代理人 (1件)： 上島 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-284466
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115078
出願日： 1993年10月19日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】基板のフッ化水素処理後の成膜工程における不具合を解決するために、フッ化水素処理後の基板表面に付着した異物を、アルカリ系薬液に界面活性剤を添加した洗浄剤でブラシスクラブしながら除去し、さらに純水でブラシスクラブしながら洗浄剤を除去する。【構成】半導体基板をフッ化水素処理した後にウエハ表面を洗浄する処理装置12において、前記処理装置12の枠体14内に内蔵した洗浄槽16に、基板10をチャックするスピンチャック機構24と、アルカリ系薬液に界面活性剤を添加した洗浄液を噴射する洗浄液ノズル30と、純水を噴射する純水ノズル26と、半導体基板10の表面をブラシスクラブする回転ブラシ58とを設けた。

請求項（抜粋）：

半導体基板などの基板をフッ化水素処理した後に、前記基板表面を洗浄する基板の処理方法において、フッ化水素処理後の基板表面にアルカリ系薬液に界面活性剤を添加した洗浄液を噴射しながら、前記基板表面をブラシスクラブする第1の洗浄工程と、前記洗浄液による前記第1の洗浄工程の後に、前記基板表面に純水を噴射しながら、前記基板表面をブラシスクラブする第2の洗浄工程とを1ステージで連続的に行うことを特徴とする基板の処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-206616
  
• 特開平4-213826
  
• ウエハの洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-180240   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭64-037841