特許

J-GLOBAL ID：200903087421277633

半導体装置

発明者： 泉田 貴士
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-060347
公開番号（公開出願番号）：特開2007-242737
出願日： 2006年03月06日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：

【課題】チャネルに対して、より効果的に応力を作用させてキャリア移動度の向上を図った半導体装置を提供すること。【解決手段】絶縁層から突出して第1の方向xに延在して設けられた半導体フィンと、半導体フィンにおける少なくともチャネル部の側面に対向して設けられ、第1の方向xに対して略直交する第2の方向yに延在するゲート電極と、半導体フィンとゲート電極との間に介在された絶縁膜と、チャネル部の上に設けられたスペーサ層と、スペーサ層における第2の方向yに沿った側面に設けられた側壁絶縁層と、側壁絶縁層及びスペーサ層を覆って設けられ、半導体フィンを歪ませるための初期応力を有するストレスライナーと、を備え、側壁絶縁層の第1の方向の厚さtが45ナノメータ(nm)以上であり、かつスペーサ層の高さh1が105ナノメータ(nm)以上である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁層と、 前記絶縁層から突出して、前記絶縁層の主面に対して平行な第1の方向に延在し、前記第1の方向に並んで形成されたソース領域と、チャネル部と、ドレイン領域と、を有する半導体フィンと、 前記半導体フィンにおける少なくとも前記チャネル部の側面に対向して設けられ、前記第1の方向に対して略直交し、前記絶縁層の主面に対して平行な第2の方向に延在するゲート電極と、 前記半導体フィンと前記ゲート電極との間に介在された絶縁膜と、 前記チャネル部の上に設けられたスペーサ層と、 前記スペーサ層における前記第2の方向に対して略平行な側面に隣接して設けられた側壁絶縁層と、 前記側壁絶縁層及び前記スペーサ層を覆って設けられ、前記半導体フィンを歪ませるための初期応力を有するストレスライナーと、 を備え、 前記側壁絶縁層の前記第1の方向の厚さが45ナノメータ(nm)以上であり、かつ前記スペーサ層の高さが105ナノメータ(nm)以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/78 301X ,  H01L29/78 301H ,  H01L29/78 618C

Fターム (57件)：

5F110AA01 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE29 ,  5F110EE31 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG30 ,  5F110GG32 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ14 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ04 ,  5F140AA05 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BB05 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF47 ,  5F140BG08 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG38 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14 ,  5F140BK18 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ゲルマニウムチャンネル領域を有する非平面トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-339572   出願人：三星電子株式会社