窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-343525
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177135
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】従来例の半導体素子構造においては、例えば発光素子の場合、pn接合部が大気に晒され、大気中の酸素、炭素、水分等と結合して、非発光準位を形成し、発光効率の低下が生じていた。【解決手段】本発明の窒化ガリウム系半導体素子Mgを含む窒化ガリウム系半導体層の一部が、同じ組成の層の他の部位に対して高抵抗化されていることを特徴とするものである。また、温度400°C以上の水素を含む雰囲気下で熱処理することにより、前記Mgを含む窒化ガリウム系半導体層が高抵抗化されてなることを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：