特許

J-GLOBAL ID：200903087446588099

窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法

発明者： 森本 泰司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-343525
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177135
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 従来例の半導体素子構造においては、例えば発光素子の場合、pn接合部が大気に晒され、大気中の酸素、炭素、水分等と結合して、非発光準位を形成し、発光効率の低下が生じていた。【解決手段】 本発明の窒化ガリウム系半導体素子Mgを含む窒化ガリウム系半導体層の一部が、同じ組成の層の他の部位に対して高抵抗化されていることを特徴とするものである。また、温度400°C以上の水素を含む雰囲気下で熱処理することにより、前記Mgを含む窒化ガリウム系半導体層が高抵抗化されてなることを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

Mgを含む窒化ガリウム系半導体層の一部が、同じ組成の層の他の部位に対して高抵抗化されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-064199   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-081948   出願人：豊田合成株式会社
• 特開平2-292888
  
• 特開昭62-145792