ナノ構造を有するSiC-A1N固溶焼結体とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：楠本高義 , 増田建 , 中越貴宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-278133
公開番号（公開出願番号）：特開2007-084405
出願日： 2005年09月26日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】比較的低温での焼結により相対密度98%以上の高密度のSiCを主成分とする焼結体を提供しようとする。【解決手段】 SiCとA1Nとの固溶体の微粒子から構成された被焼結粉末を焼結して成り、該固溶体は0.5〜10mol%のA1Nを含み、該微粒子は積層無秩序構造を持ち、前記焼結体の平均粒子サイズが5〜200nmであり、微量のA1Nが固溶したβ-SiC構造、微量のA1Nが固溶したα-SiCと微量のA1Nが固溶したβ-SiCとの混在構造から選択される構造を有することを特徴とする焼結体であり、あるいは、該固溶体が8mol%以上のA1Nを含み、前記焼結体の平均粒子サイズが5〜200nmであり、前記焼結体が、A1Nが固溶した変調構造を有する、ことを特徴とする焼結体である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

焼結体であって、SiCとA1Nとの固溶体の微粒子から構成された被焼結粉末を焼結して成り、該固溶体は0.5〜10mol%のA1Nを含み、該微粒子は積層無秩序構造を持ち、前記焼結体の平均粒子サイズが5〜200nmであり、微量のA1Nが固溶したβ-SiC構造、微量のA1Nが固溶したα-SiCと微量のA1Nが固溶したβ-SiCとの混在構造から選択される構造を有することを特徴とする焼結体。

IPC (5件)：

C04B 35/565 , C04B 35/626 , B82B 1/00 , B82B 3/00 , C04B 35/64

FI (6件)：

C04B35/56 101C , C04B35/56 101P , C04B35/56 101S , B82B1/00 , B82B3/00 , C04B35/64 E

Fターム (16件)：

4G001BA22 , 4G001BA36 , 4G001BB22 , 4G001BB36 , 4G001BB60 , 4G001BC01 , 4G001BC12 , 4G001BC13 , 4G001BC41 , 4G001BC42 , 4G001BC43 , 4G001BC52 , 4G001BC55 , 4G001BE02 , 4G001BE03 , 4G001BE22

引用特許：

出願人引用 (2件)

ナノSiC焼結体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-194890 出願人：住友石炭鉱業株式会社, 大柳満之, 株式会社ビッツ
特開平3-242375

審査官引用 (2件)

特開平3-242375
特開平3-242375

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