特許

J-GLOBAL ID：200903087455784208

位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク

発明者： 野澤 順 ,  三ッ井 英明
出願人/特許権者： HOYA株式会社
代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-236526
公開番号（公開出願番号）：特開2004-318184
出願日： 2004年08月16日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】 位相シフトマスクブランクス等における光半透過膜の耐酸性、耐アルカリ性、及び耐エキシマレーザー照射耐性を向上させた状態で、光半透過膜の内部応力を適切な範囲に調整する。【解決手段】 透明基板上に、シリコン、及び、窒素及び/又は酸素を含む薄膜を少なくとも一層含む光半透過膜を有し、中心波長が248nm又はそれより短い波長の露光光に対して用いられるハーフトーン型位相シフトマスクブランクであって、 前記光半透過膜の表面の表面粗さが、Raにおいて0.3nm以下となるような緻密な膜であることを特徴とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

透明基板上に、シリコン、及び、窒素及び/又は酸素を含む薄膜を少なくとも一層含む光半透過膜を有し、中心波長が248nm又はそれより短い波長の露光光に対して用いられるハーフトーン型位相シフトマスクブランクであって、 前記シリコン、及び、窒素及び/又は酸素を含む薄膜は、シリコンを含むスパッタリングターゲットを用い、窒素及び/又は酸素を含む雰囲気中であって、かつ0.2パスカル以下の圧力の雰囲気中で、スパッタリング法により形成され、前記光半透過膜の表面の表面粗さが、Raにおいて0.3nm以下となるような緻密な膜とすることにより、光半透過膜の耐酸性、耐アルカリ性、耐エキシマレーザ照射耐性を向上させたものとし、かつ、 前記光半透過膜は、200°C以上の温度で熱処理され、光半透過膜が形成されているときと形成されていないときの基板の平面度変化量が1μm以下となるような膜応力を有する ことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。

IPC (2件)：

G03F1/08 ,  H01L21/027

FI (2件)：

G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P

Fターム (1件)：

2H095BB03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 位相シフタ膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-199941   出願人：アルバック成膜株式会社, 三菱電機株式会社
• 特開平1-150324