位相シフタ膜およびその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199941
公開番号（公開出願番号）：特開2001-027798
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 ArFレーザまたはKrFレーザに適用可能なハーフトーン型の位相シフトマスクをモリブデンシリサイド系の材料を用いて提供する。【解決手段】反応ガス導入口14aと不活性ガス導入口14bとを備え、それぞれのガスを分離して導入し、反応性ロングスロースパッタリング法を用いて、モリブデンシリサイド系の位相シフタ膜を形成する。

請求項（抜粋）：

位相シフトマスクに用いられる位相シフタ膜であって、当該位相シフタ膜は、反応性ロングスロースパッタリング装置を用いて形成された膜であることを特徴とする、位相シフタ膜。

IPC (5件)：

G03F 1/08 , C23C 14/06 , C23C 14/34 , H01L 21/027 , H01L 21/306

FI (6件)：

G03F 1/08 A , C23C 14/06 K , C23C 14/06 L , C23C 14/34 , H01L 21/30 502 P , H01L 21/306 S

Fターム (35件)：

2H095BB03 , 2H095BB25 , 2H095BC17 , 2H095BD04 , 2H095BD12 , 2H095BD13 , 2H095BD32 , 2H095BD33 , 2H095BD34 , 2H095BD35 , 4K029BA02 , 4K029BA03 , 4K029BA07 , 4K029BA11 , 4K029BA16 , 4K029BA17 , 4K029BA35 , 4K029BA41 , 4K029BB02 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DA04 , 4K029DC01 , 4K029EA00 , 4K029EA03 , 4K029EA04 , 4K029GA00 , 4K029GA01 , 4K029HA07 , 5F043AA26 , 5F043AA28 , 5F043BB18 , 5F043CC16 , 5F043DD15 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (13件)

位相シフトフォトマスクブランクス製造方法、位相シフトフォトマスクブランクス、及び位相シフトフォトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-214792 出願人：アルバック成膜株式会社, 三菱電機株式会社
窒化チタン薄膜成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-268873 出願人：日本真空技術株式会社
反応性スパツタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-229987 出願人：松下電器産業株式会社

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