特許
J-GLOBAL ID:200903071614989734

位相シフタ膜およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-199941
公開番号(公開出願番号):特開2001-027798
出願日: 1999年07月14日
公開日(公表日): 2001年01月30日
要約:
【要約】【課題】 ArFレーザまたはKrFレーザに適用可能なハーフトーン型の位相シフトマスクをモリブデンシリサイド系の材料を用いて提供する。【解決手段】 反応ガス導入口14aと不活性ガス導入口14bとを備え、それぞれのガスを分離して導入し、反応性ロングスロースパッタリング法を用いて、モリブデンシリサイド系の位相シフタ膜を形成する。
請求項(抜粋):
位相シフトマスクに用いられる位相シフタ膜であって、当該位相シフタ膜は、反応性ロングスロースパッタリング装置を用いて形成された膜であることを特徴とする、位相シフタ膜。
IPC (5件):
G03F 1/08 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306
FI (6件):
G03F 1/08 A ,  C23C 14/06 K ,  C23C 14/06 L ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/306 S
Fターム (35件):
2H095BB03 ,  2H095BB25 ,  2H095BC17 ,  2H095BD04 ,  2H095BD12 ,  2H095BD13 ,  2H095BD32 ,  2H095BD33 ,  2H095BD34 ,  2H095BD35 ,  4K029BA02 ,  4K029BA03 ,  4K029BA07 ,  4K029BA11 ,  4K029BA16 ,  4K029BA17 ,  4K029BA35 ,  4K029BA41 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DA04 ,  4K029DC01 ,  4K029EA00 ,  4K029EA03 ,  4K029EA04 ,  4K029GA00 ,  4K029GA01 ,  4K029HA07 ,  5F043AA26 ,  5F043AA28 ,  5F043BB18 ,  5F043CC16 ,  5F043DD15 ,  5F043GG10
引用特許:
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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