特許
J-GLOBAL ID：200903087476028969
ビスマス系層状ペロブスカイト化合物強誘電体薄膜用前駆体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院名古屋工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-252926
公開番号（公開出願番号）：特開平11-080181
出願日： 1997年09月01日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：
【要約】【課題】 ビスマス系層状ペロブスカイト化合物強誘電体薄膜用前駆体の製造方法を提供する。【解決手段】 Sr金属から調製したSrアルコキシド(Sr(OR)2 )をアルコール中でBiアルコキシド(Bi(OR)3 )と反応させて、Si-BiダブルアルコキシドSr〔Bi(OR)4 〕2 を生成させ、次いで、これをTaアルコキシドTa(OR)5 又はNbアルコキシドNb(OR)5 と反応させることを特徴とする原子配列の構造制御されたSr:Bi:Ta又はNb=1:2:2(金属原子比)のSr-Bi-Ta又はNb系複合アルコキシドの製造方法、その複合アルコキシド、及び当該複合アルコキシドを用いたビスマス系層状ペロブスカイト強誘電体薄膜の製造方法。
請求項（抜粋）：
Sr金属から調製したSrアルコキシド(Sr(OR)2 )をアルコール中でBiアルコキシド(Bi(OR)3 )と反応させて、Sr-BiダブルアルコキシドSr〔Bi(OR)4 〕2 を生成させ、次いで、これをTaアルコキシドTa(OR)5 又はNbアルコキシドNb(OR)5 と反応させることを特徴とする原子配列の構造制御されたSr:Bi:Ta又はNb=1:2:2(金属原子比)のSr-Bi-Ta又はNb系複合アルコキシドの製造方法。
IPC (5件)：
C07F 9/94
, C01G 33/00
, C01G 35/00
, H01B 3/00
, H01B 3/12 318
C07F 9/94
, C01G 33/00 A
, C01G 35/00 B
, C01G 35/00 C
, H01B 3/00 H
, H01B 3/12 318
