特許

J-GLOBAL ID：200903087485488590

シリコン酸化膜の製造方法および製造装置

発明者： 丸泉 琢也 ,  牛尾 二郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-296662
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135491
出願日： 1997年10月29日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】Si酸化膜中に窒素元素を制御性よく導入し、リーク特性に優れたシリコン酸化膜を形成する。【解決手段】原料ガスの熱分解反応もしくはプラズマ分解反応を利用し、シリコン酸化膜(SiO2 )を製造する方法において、N-〔Si-(OR)3〕3(ここにRは有機アルキル基を表わす)の一般式で表わされる化合物を添加し、成膜する。

請求項（抜粋）：

原料ガスの熱分解反応もしくはプラズマ分解反応を利用するシリコン酸化膜(SiO2 )の製造方法において、N-〔Si-(OR)3〕3(ここにRは有機アルキル基を表わす)の一般式で表わされる化合物を添加,成膜することを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316 X