不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-346330
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238815
出願日： 1998年12月07日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】高い書き込み効率を有する不揮発性半導体記憶層を提供する。【解決手段】第1レベルにある第1表面領域11、第1レベルよりも低い第2レベルにある第2表面領域12、および、第1表面領域11と第2表面領域12とを連結する段差側面領域13を含む表面を有する半導体基板1を用いる。浮遊ゲート4の一部分が第1絶縁膜3を介して段差側面領域13に対向し、浮遊ゲート4の他の一部分が第1絶縁膜3を介して第2表面領域12と対向している。制御ゲート6の一部が第1表面領域11から絶縁されながら第1表面領域11上に延びている。このため、段差側面領域13と第2表面領域12との間のコーナー部分近傍に強い電界が形成されるとともに、浮遊ゲート4と制御ゲート6との間の電位差によってチャネル領域中に局所的に強い電界が形成される。その結果、段差側面領域13および第2表面領域12から浮遊ゲート4への電子注入効率が著しく向上し、データの書き込み速度が格段に改善される。

請求項（抜粋）：

第1レベルにある第1表面領域、前記第1レベルよりも低い第2レベルにある第2表面領域、および、前記第1表面領域と前記第2表面領域とを連結する段差側面領域を含む表面を有する基板と、前記第1表面領域に形成されたソース領域と、前記第2表面領域に形成されたドレイン領域と、前記基板の前記表面上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上に形成された第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜を介して前記浮遊ゲートに容量結合される制御ゲートと、を備えた不揮発性半導体記憶装置であって、前記第1絶縁膜は、前記段差側面領域および前記第2表面領域に形成されており、前記浮遊ゲートの一部分は、前記第1絶縁膜を介して前記段差側面領域に対向し、前記浮遊ゲートの他の一部分は、前記第1絶縁膜を介して前記第2表面領域と対向し、しかも、前記浮遊ゲートの上端は前記第1レベルよりも上に突出しておらず、前記制御ゲートの一部は、前記第2絶縁膜を介して前記浮遊ゲートに対向し、かつ、前記制御ゲートの他の一部は、前記第1表面領域から絶縁されながら前記第1表面上に延びており、書き込み時において、前記第1表面領域にチャネル領域が形成され、前記チャネルホットエレクトロンが前記浮遊ゲートに注入される、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-291470
特開平1-140775
特開昭63-285966

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