特許
J-GLOBAL ID：200903087542854484
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041397
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237882
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】高周波用のトランジスタをマスタスライス方式で形成し、高性能なトランジスタ特性を有する半導体装置の製造を容易にする。【解決手段】半導体チップ上にマスタスライス方式で構成されるトランジスタを有する半導体装置であって、前記マスタスライス方式で製造されるトランジスタの製品群のうち最小規模のトランジスタが主トランジスタセルとして前記半導体チップの中心部に配置され、前記半導体チップ上で前記主トランジスタセルを中心にして対称となる位置に副トランジスタセルが配置されていることを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
マスタスライス方式により形成されるトランジスタを半導体チップ上に有する半導体装置であって、前記マスタスライス方式によるトランジスタの製品群の中で最小規模となるトランジスタが主トランジスタセルとして前記半導体チップの中心部に配置され、前記半導体チップ上で前記主トラジスタセルを中心にして対称となる位置に複数の副トランジスタセルが配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/118
, H01L 21/60 301
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 21/82 M
, H01L 21/60 301 N
, H01L 29/72
