特許
J-GLOBAL ID：200903087551733150
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-103757
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306700
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】トンネル電流の増加を抑制し、かつエミッタ抵抗増加も抑制したトランジスタを有する半導体装置及びこのトランジスタを有効に製造する方法を提供する。【構成】広い禁制帯幅の材料をエミッタ11として用いるバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ・ベース間の空乏層内のベース領域も広い禁制帯幅の材料を用いる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の第一導電型の半導体層に接して選択的に形成された第二導電型の第1の半導体膜と、前記第1の半導体膜の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有して前記第1の半導体膜の少なくとも一部に接して形成された第二導電型の第2の半導体膜と、前記第2の半導体膜と同一の材質からなり前記第2の半導体膜の少なくとも一部に接して形成された第一導電型の第3の半導体膜とを具備し、前記半導体層をコレクタ領域とし、前記第1および第2の半導体膜をベース領域とし、前記第3の半導体膜をエミッタ領域としたトランジスタを構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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