半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-253080
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169974
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】薄膜トランジスタにおいて、ソース/ドレイン領域に高抵抗不純物領域(HRDまたは低濃度不純物領域)を自己整合的に形成する方法を提供する。【構成】ゲイト電極105上面にマスク106を残し、比較的低い電圧でポーラスな第1の陽極酸化膜107をゲイト電極の側面に成長させる。この陽極酸化膜をマスクとしてゲイト絶縁膜104′をエッチングする。必要に応じては比較的高い電圧でバリア型の第2の陽極酸化膜108をゲイト電極の側面および上面に形成する。第1の陽極酸化膜を選択的にエッチングする。不純物ドーピングをおこなうと、ゲイト電極の下部にはドーピングされず、ゲイト電極に近い領域では、不純物濃度の低い高抵抗領域111,112となる。ゲイト電極から遠い領域では、不純物濃度の高い低抵抗領域110,113となる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に形成された薄膜トランジスタにおいて、ゲイト電極と、ゲイト電極の下に存在する真性または実質的に真性のチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に隣接した1対の高抵抗不純物領域と、前記低濃度領域の外側に設けられた1対の低抵抗不純物領域とを有し、かつ、前記高抵抗不純物領域はゲイト絶縁膜下に設けられ、かつ、ゲイト絶縁膜の端部は前記低抵抗不純物領域と高抵抗不純物領域との境界またはその近傍に存在することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 311 P , H01L 29/78 311 S , H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭58-142566
特開平2-159730
MIS型電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-027750 出願人：富士通株式会社

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