特許

J-GLOBAL ID：200903087569564909

カーボンナノチューブを利用した電子デバイス

発明者： バッハトルド アドリアン ,  デッカー セース
出願人/特許権者： テクニシェ ユニヴェルシテイト デルフト
代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-516113
公開番号（公開出願番号）：特表2004-537174
出願日： 2001年07月26日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

基板に支持される管形状の炭素分子を組み込んでいる電子デバイスであって、分子が、ソース及びドレイン電極を具備した電子デバイスにおいて、前記ゲート電極が、金属性の電極である。前記金属性の電極は、酸化物の表面層を有し、好ましくは、天然酸化物を有する。前記金属性の電極は、アルミニウム、亜鉛、銅のグループから選択される。

請求項（抜粋）：

基板に支持されている管形状の炭素分子を組み込んでいる電子デバイスであって、 分子がソース及びドレイン電極、及びゲート電極を具備した電子デバイスにおいて、 前記ゲート電極が金属性の電極であることを特徴とする電子デバイス。

IPC (9件)：

H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

FI (6件)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/06 601N ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/10 381 ,  H01L29/58 G

Fターム (39件)：

4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF04 ,  4M104GG09 ,  4M104HH14 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048BA07 ,  5F048BA14 ,  5F048BB11 ,  5F048BC01 ,  5F048BC15 ,  5F083BS21 ,  5F083BS22 ,  5F083BS23 ,  5F083BS37 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F110AA30 ,  5F110BB07 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110FF01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-204182   出願人：日本電気株式会社