特許
J-GLOBAL ID：200903085103911061

電界効果トランジスタ

発明者：
二瓶 史行

二瓶 史行 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-204182
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017508
出願日： 2001年07月05日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【目的】 非常に高い周波数のデジタル電気信号あるいはアナログ電気信号を制御あるいは増幅するための電界効果トランジスタを提供する。【構成】 基板の上に設置されたチャネルと、チャネルの始端に接続されたソース電極と、チャネルの終端に接続されたドレイン電極と、チャネルの上あるいは側面に設置された絶縁体と、絶縁体を介してチャネルの上あるいは側面に設置されたゲート電極からなる電界効果トランジスタにおいて、チャネルが複数のカーボンナノチューブにより構成される事を特徴とする電界効果トランジスタ。
請求項（抜粋）：
荷電粒子が走行するチャネルと、それぞれチャネルの一部に接続されるソース領域、ドレイン領域と、チャネルと電磁気的に結合するゲート電極からなる電界効果トランジスタにおいて、チャネルがカーボンナノチューブで構成される事を特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/06 601 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/812 ,  H01L 51/00
FI (5件)：
H01L 29/06 601 N ,  H01L 29/80 B ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28
Fターム (50件)：
5F102FB10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC02 ,  5F102GD01 ,  5F102GD02 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL02 ,  5F102GL08 ,  5F102GM02 ,  5F102GR06 ,  5F102GT10 ,  5F110AA01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE29 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG41 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F140AA01 ,  5F140AA07 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BB00 ,  5F140BB01 ,  5F140BB15 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BF01 ,  5F140BF03 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • Nanotube Nanoelectronics

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