電界効果トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-204182
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017508
出願日： 2001年07月05日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【目的】非常に高い周波数のデジタル電気信号あるいはアナログ電気信号を制御あるいは増幅するための電界効果トランジスタを提供する。【構成】基板の上に設置されたチャネルと、チャネルの始端に接続されたソース電極と、チャネルの終端に接続されたドレイン電極と、チャネルの上あるいは側面に設置された絶縁体と、絶縁体を介してチャネルの上あるいは側面に設置されたゲート電極からなる電界効果トランジスタにおいて、チャネルが複数のカーボンナノチューブにより構成される事を特徴とする電界効果トランジスタ。

請求項（抜粋）：

荷電粒子が走行するチャネルと、それぞれチャネルの一部に接続されるソース領域、ドレイン領域と、チャネルと電磁気的に結合するゲート電極からなる電界効果トランジスタにおいて、チャネルがカーボンナノチューブで構成される事を特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/06 601 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 29/812 , H01L 51/00

FI (5件)：

H01L 29/06 601 N , H01L 29/80 B , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 618 B , H01L 29/28

Fターム (50件)：

5F102FB10 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GC02 , 5F102GD01 , 5F102GD02 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GL02 , 5F102GL08 , 5F102GM02 , 5F102GR06 , 5F102GT10 , 5F110AA01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE29 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG01 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG41 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F140AA01 , 5F140AA07 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB00 , 5F140BB01 , 5F140BB15 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07

引用特許：

審査官引用 (6件)

電流制御素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-064100 出願人：株式会社日立製作所
異物質内包カーボンナノチューブとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-341747 出願人：日本電気株式会社
カーボンナノチューブ細線およびスイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-174006 出願人：日本電気株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

Nanotube Nanoelectronics
Nanotube Nanoelectronics

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