特許
J-GLOBAL ID:200903087589782899
ガス貯蔵性有機金属錯体、その製造方法およびガス貯蔵装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三枝 英二 (外8名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-121178
公開番号(公開出願番号):特開2000-117100
出願日: 1999年04月28日
公開日(公表日): 2000年04月25日
要約:
【要約】【課題】 安価であるとともに体積当たりのガス吸着能が高く、繰り返し特性の良好なガスの貯蔵技術を提供する。【解決手段】二価の金属イオン、前記金属イオンに配位可能な原子を有する二座配位可能な有機配位子、およびハロゲン化二価金属アニオンより構成される三次元構造を有するガス貯蔵可能な有機金属錯体。
請求項(抜粋):
二価の金属イオン、前記金属イオンに配位可能な原子を有する二座配位可能な有機配位子、およびハロゲン化二価金属アニオンより構成される三次元構造を有するガス貯蔵可能な有機金属錯体。
IPC (9件):
B01J 20/22
, B01J 20/30
, C07D213/16
, C07D213/22
, C07D213/81
, C07D241/12
, F17C 11/00
, F17C 13/00 302
, C07F 1/08
FI (9件):
B01J 20/22 A
, B01J 20/30
, C07D213/16
, C07D213/22
, C07D213/81
, C07D241/12
, F17C 11/00 A
, F17C 13/00 302 A
, C07F 1/08 C
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