特許
J-GLOBAL ID：200903087590140523

スプレー・プロセッサを用いる金属膜の無電解めっき

発明者：
シャーチャム-ダイヤモンド,ヨシ

シャーチャム-ダイヤモンド,ヨシ について

, 
ングイェン,ヴィン

ングイェン,ヴィン について

, 
ダビン,ヴァレリィ

ダビン,ヴァレリィ について


出願人/特許権者：
エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド

エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 萼 経夫 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-523003
公開番号（公開出願番号）：特表平11-510219
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】非常に薄い銅のような金属フィルムの無電解めっきをスプレー・プロセッサにより達成する。無電解めっき溶液のアトマイズされた微小滴または連続的な流れを基材に噴霧する。無電解めっき溶液は噴霧直前に還元溶液および金属貯蔵溶液を混合することによって製造できる。析出工程は金属貯蔵溶液および還元化貯槽、めっき溶液を生成するための混合チャンバー、所望により不活性ガスまたは空気(酸素)源、その中で基材に溶液を噴霧するプロセスチャンバーならびに自動化されためっき溶液の混合および噴霧のための予め決定されたプログラムによって混合チャンバーおよびプロセスチャンバーに溶液を供給するための制御システムを含む装置において行われ得る。方法は100Å程の薄さの金属フィルムを製造するのに使用でき、これらのフィルムはバルクの値にほぼ等しい低い抵抗率値、低い表面荒さ、優れた電気的および厚み均質性および鏡様の表面をもつ。低い温度のアニーリングは析出されたフィルムの電気特性をさらに改良するのに使用できる。開示された方法により製造された薄い金属フィルムは半導体ウエーハ二次加工品および集成体に使用でき、ならびに薄フィルムディスク、薄フィルムヘッド、光学的記憶装置、センサ装置、マイクロエレクトロマシーン化センサ(MEM)およびアクチュエータ、ならびに光学フィルターの製造に使用できる。
請求項（抜粋）：
第二の金属材料である基材上厚さ約100Åないし約2000Åの、約4マイクロオーム-cm未満の抵抗率をもつ銅フィルムからなる物品。
IPC (5件)：
C23C 18/44 ,  C23C 18/31 ,  C23C 18/32 ,  C23C 18/38 ,  H01L 21/288
FI (5件)：
C23C 18/44 ,  C23C 18/31 A ,  C23C 18/32 ,  C23C 18/38 ,  H01L 21/288 Z
引用特許：
審査官引用 (23件)
  • 特開平2-094433
  • 特開平3-090578
  • 特開平1-079377
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM