MOSFETデバイスのシステムおよび方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-545358
公開番号（公開出願番号）：特表2003-517210
出願日： 2000年12月15日
公開日（公表日）： 2003年05月20日
要約：

【要約】MISFEEDデバイスシステムおよびそれを製造する方法を開示する。本発明は、MISFEEDデバイス構造のコンテクスト内でソース接続および/またはドレイン接続のためにショットキーバリア接触(301、302)を利用して、短チャネル効果を制御するためにハロー/ポケット注入および浅いソース/ドレイン拡張部の必要性を除去する。付け加えると、本発明は、MISFEED製造と関連した寄生バイポーラ利得を無条件に除去し、製造コストを減らし、デバイス性能パラメータを厳密に制御し、従来技術と比較して優れたデバイス特性を提供する。

請求項（抜粋）：

電流の流れを制御するための短チャネルネルデバイスを製造する方法であって、該方法は、ドーパント濃度を垂直方向に著しく変化させ、横方向にほぼ一定であるように半導体基板にチャネルドーパントを導入する工程と、該半導体基板の表面上にゲート電極を提供する工程と、該チャネル長が100nm以下である該半導体基板上のソース電極およびドレイン電極であって、ここで該ソース電極および該ドレイン電極のうち少なくとも一方が該半導体基板上にショットキー接触またはショットキーのような接触を形成する該ソース電極および該ドレイン電極を提供する工程とを包含する方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 29/417

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 29/50 M

Fターム (36件)：

4M104BB01 , 4M104BB19 , 4M104BB22 , 4M104BB23 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD02 , 4M104DD04 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 5F140AA09 , 5F140AA12 , 5F140AA17 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BB15 , 5F140BC06 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG31 , 5F140BG34 , 5F140BG45 , 5F140BG53 , 5F140BH27 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ30 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (2件)

特表昭62-500061
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-066615 出願人：松下電子工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

SCHOTTKY BARRIER MOSFETS FOR SILICON NANOELECTRONICS

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