不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-372309
公開番号（公開出願番号）：特開2001-229686
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】温度変動や製造プロセス条件の変動があっても正確かつ高速のリード動作を保証できるフラッシュメモリを提供する。【解決手段】浮遊ゲートを有するメモリセルトランジスタ10の記憶データをリードするために、シングルゲート型のリファレンストランジスタ20と、差動センスアンプ30と、リファレンストランジスタ20のゲート電圧を生成するためのゲート電圧発生回路40とを設ける。ゲート電圧発生回路40は、メモリセルトランジスタ10と同じ構造を持ちかつ予めオン状態に設定されたダミーセルトランジスタ50と、このダミーセルトランジスタ50のドレイン電流に比例した電流を生成するためのカレントミラー60と、このカレントミラー60により生成された電流に基づいてリファレンストランジスタ20のゲート電圧を生成するためのNMOSトランジスタ70と、生成されたゲート電圧を保持するための電圧保持回路80とを持つ。

請求項（抜粋）：

電気的にイレーズ可能かつプログラム可能な不揮発性半導体記憶装置であって、制御ゲートと、浮遊ゲートと、ドレインと、ソースとを有し、かつ前記浮遊ゲートに電荷を蓄えたオフ状態と、前記浮遊ゲートから電荷が除去されたオン状態とのいずれかの状態を取り得るメモリセルトランジスタと、MOS構造を持つリファレンストランジスタと、リードサイクルにおける前記リファレンストランジスタのゲート電圧を生成するためのゲート電圧発生回路と、前記メモリセルトランジスタのドレインに接続されたビット線と、前記リファレンストランジスタのドレインに接続されたリファレンス線と、前記メモリセルトランジスタのドレイン電流に応じて決まる前記ビット線の電圧と、前記リファレンストランジスタのドレイン電流に応じて決まる前記リファレンス線の電圧とを比較することにより、前記メモリセルトランジスタの状態をセンスするための差動センスアンプとを備え、前記ゲート電圧発生回路は、前記メモリセルトランジスタと同じく制御ゲートと、浮遊ゲートと、ドレインと、ソースとを有するダミーセルトランジスタと、前記ダミーセルトランジスタのドレイン電流に比例した電流を生成するためのカレントミラーと、前記カレントミラーにより生成された電流に基づいて前記リファレンストランジスタのゲート電圧を生成するためのトランジスタ手段とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 16/06 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 27/10 481 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 481 , G11C 17/00 634 E , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (20件)：

5B025AA02 , 5B025AD06 , 5B025AD07 , 5B025AE05 , 5B025AE08 , 5B025AE09 , 5F001AA01 , 5F001AB03 , 5F001AB08 , 5F001AD12 , 5F001AG40 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP24 , 5F083LA03 , 5F083LA10 , 5F083PR42 , 5F083PR52 , 5F083ZA12 , 5F083ZA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

基準回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-297040 出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスリミテッド
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-137148 出願人：日本電気株式会社

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