半導体ウエハ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：赤野牧子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-215299
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064582
出願日： 1994年08月17日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】半導体ウエハ処理用のロックロード室での圧力変動に長時間を要することなくウエハ汚染を防止する半導体ウエハ処理装置の提供。【構成】半導体ウエハ処理室と少なくとも1の予備室とが開閉可能な隔壁を有する連結部により気密に連結されてなり、且つ、該予備室が開閉可能な隔壁により外部と気密に隔離されてなると共に、該予備室には少なくともガス排出手段及びガス導入手段が配備されており、該ガス導入手段が該予備室の内部空間に伸延された少なくとも1のガス流出口を有し、該ガス流出口には平均細孔径0.5μm以下のセラミック層を有するセラミック製ブレイクフィルタが配置されてなることを特徴とする半導体ウエハ処理装置。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ処理室と少なくとも1の予備室とが開閉可能な隔壁を有する連結部により気密に連結されてなり、且つ、該予備室が開閉可能な隔壁により外部と気密に隔離されてなると共に、該予備室には少なくともガス排出手段及びガス導入手段が配備されており、該ガス導入手段が該予備室の内部空間に伸延された少なくとも1のガス流出口を有し、該ガス流出口には平均細孔径0.5μm以下のセラミック層を有するセラミック製ブレイクフィルタが配置されてなることを特徴とする半導体ウエハ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-184333
特開平4-041673
真空装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-356293 出願人：東京エレクトロン株式会社

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