特許

J-GLOBAL ID：200903087621025922

2重仕事関数ドーピング及び保護絶縁キャップを提供する方法

発明者： ジャック・アラン・マンデルマン ,  ゲーリー・ビィ・ブロナー ,  ラマチャンドラ・ディバカルニ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-160921
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357749
出願日： 2000年05月30日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】 2重仕事関数ドーピング及びボーダレス・アレイ拡散コンタクトを提供すること。【解決手段】 本方法は、半導体基板5、ゲート絶縁体10、ゲート絶縁体上の導体61、12、導体上の絶縁キャップ、及び導体及び絶縁キャップの一部の側壁上の絶縁スペーサ92を提供する。本方法は更に、半導体基板及び導体の一部を第1の導電タイプによりドープし、他の部分を第2の導電タイプによりドープする。第1及び第2の導電タイプのドーパントがそれぞれの導体に渡って広がるように、導体がアニーリングされる。

請求項（抜粋）：

2重仕事関数ドーピングを提供する方法であって、半導体基板、前記半導体基板上のゲート絶縁体、真性ポリシリコン及び上側を覆うケイ化物層を含む導体、及び前記ケイ化物層上の絶縁キャップを提供するステップと、前記ケイ化物層及び前記絶縁キャップの側部に沿って、スペーサ材料を含む絶縁スペーサを提供するステップと、前記半導体基板及び前記導体の第1の部分を第1の導電タイプのドーパントによりドープし、前記半導体基板及び前記導体の第2の部分を第2の導電タイプのドーパントによりドープするステップと、前記第1及び第2の導電タイプのドーパントが前記それぞれの導体に渡って広がるように、前記導体をアニーリングするステップとを含む、方法。

IPC (9件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 27/08 102 C ,  H01L 21/28 301 D ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-230234   出願人：ソニー株式会社