特許

J-GLOBAL ID：200903087646597254

半導体装置及びその製造方法

発明者： 岩崎 貴之 ,  大野 俊之 ,  八尾 勉 ,  菅原 良孝 ,  浅野 勝則
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  関西電力株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-045549
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243215
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体層2にショットキー接合され、バリアハイトが異なる2種金属からなる主電極6の形成工程を簡素化し、製造コストを安価にする半導体装置を提供する。【解決手段】 シリコンカーバイトの半導体基板1、半導体基板1の一面に接合された半導体層2、半導体基板1の他面に接合された第1主電極3、半導体層2の露出面にショットキー接合された複数の第2主電極4、半導体層2の露出面や複数の第2主電極4上に配置され、半導体層2の露出面にショットキー接合された第3主電極5を備え、第2主電極4を構成する金属と半導体層2間のバリアハイトが第3主電極5を構成する金属と半導体層2間のバリアハイトよりも高い半導体装置であり、第3主電極5の構成金属が高融点金属であり、第2主電極4の構成金属が1000°C以上の温度でアニールした高融点金属と同じ高融点金属である。

請求項（抜粋）：

シリコンカーバイト(SiC)からなる半導体基板と、前記半導体基板の一方の表面に一面が接合された前記半導体基板と同じ導電型の半導体層と、前記半導体基板の他方の表面にオーミック接合された第1主電極と、前記半導体層の他面に配置され、前記半導体層にショットキー接合された複数の第2主電極と、前記半導体層の他面の露出部及び前記複数の第2主電極上に配置され、前記半導体層の他面の露出部にショットキー接合される第3主電極とを備え、前記第2主電極を構成する金属と及び前記半導体層との間のバリアハイトが前記第3主電極を構成する金属と前記半導体層との間のバリアハイトよりも高い半導体装置において、前記第3主電極を構成する金属が高融点金属であり、前記第2主電極を構成する金属が1000°C以上の温度でアニールした前記高融点金属と同種の高融点金属であることを特徴とする半導体装置。