単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川瀬茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-269387
公開番号（公開出願番号）：特開2003-183100
出願日： 2002年09月17日
公開日（公表日）： 2003年07月03日
要約：

【要約】【課題】ファセットを形成し維持しながら窒化ガリウムを成長させるファセット成長法では、ファセット面からなるピット中央部から転位がモヤモヤと広がり、面状欠陥が放射状に生成されるという欠点があった。またどこにピットができるのか制御不可能であったのでその上にデバイスを設計することができなかった。それらの難点を克服すること。【解決手段】下地基板の上に規則正しくストライプマスクパターンを設けてその上にファセットよりなる直線状のV溝(谷)を形成しこれを維持しながらGaNをファセット成長させファセット面よりなるV溝(谷)底部に欠陥集合領域Hを形成しそこへ転位を集めてその周囲の低欠陥単結晶領域ZとC面成長領域Yを低転位化する。欠陥集合領域Hは閉じているので、転位を閉じ込め再び解き放つということがない。

請求項（抜粋）：

表面と裏面を有し、表面に、直線状に伸び幅をもつ低欠陥単結晶領域Zと、直線状に伸び幅を持ち幅方向の両側に境界線K、Kを有し境界線Kを介して前記低欠陥単結晶領域Zに接する結晶欠陥集合領域H、Hとを有することを特徴とする単結晶窒化ガリウム基板。

IPC (3件)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/38 D , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (50件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB10 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077FG11 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TB13 , 4G077TC06 , 4G077TC13 , 4G077TC19 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G077TK11 , 5F041AA04 , 5F041AA33 , 5F041DB02 , 5F041DC23 , 5F041DC78 , 5F041DC83 , 5F041FF11 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD08 , 5F045AD14 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045DA53 , 5F045DB02 , 5F045DB04

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体薄膜と半導体素子と半導体装置とこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-336307 出願人：ソニー株式会社

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