有機双安定性素子およびこれを用いた不揮発性メモリ装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：吉武賢次 , 中村行孝 , 紺野昭男 , 横田修孝 , 浅野真理
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-188729
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013167
出願日： 2004年06月25日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

【課題】単純が構造な双安定性素子であって、かつ、長時間不揮発性メモリ効果が維持できる有機双安定性素子を提供する。【解決手段】第一電極と第二電極との間に、有機薄膜層が狭持されてなる有機双安定性素子であって、前記有機薄膜が、永久双極子モーメント7.13debye以上を有する有機化合物を含んでなり、前記第一電極と第二電極との間に正または負のバイアス電圧を印加して高導電状態とし、前記バイアス電圧とは逆のバイアス電圧を前記電極間に印加して低導電状態とすることにより、低導電性状態と高導電性状態との間で可逆的に転換できるものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第一電極と第二電極との間に、有機薄膜層が狭持されてなる有機双安定性素子であって、前記有機薄膜が、永久双極子モーメント7.13debye以上を有する有機化合物を含んでなり、前記第一電極と第二電極との間に正または負のバイアス電圧を印加して高導電状態とし、前記バイアス電圧とは逆のバイアス電圧を前記電極間に印加して低導電状態とすることにより、低導電性状態と高導電性状態との間で可逆的に転換できることを特徴とする、有機双安定性素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 , H01L 27/28 , H01L 51/05

FI (3件)：

H01L27/10 451 , H01L27/10 449 , H01L29/28

Fターム (9件)：

5F083FZ07 , 5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083PR23

引用特許：

出願人引用 (2件)

有機強誘電体薄膜及び半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-161431 出願人：科学技術振興事業団, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
有機物双安定デバイス及び有機物メモリセル
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-540158 出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア

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