特許

J-GLOBAL ID：200903087757295605

ナノ材料を含むタングステンおよび関連するナノテクノロジー

発明者： ヤダブ タペシュ
出願人/特許権者： ナノプロダクツ コーポレーション
代理人 (6件)： 清水 初志 ,  刑部 俊 ,  新見 浩一 ,  小林 智彦 ,  渡邉 伸一 ,  井上 隆一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-511285
公開番号（公開出願番号）：特表2008-545020
出願日： 2006年05月10日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：

タングステンを含むナノ粒子、タングステンを含むナノ粒子の製造方法、ならびにタングステンを含むナノ粒子の用途、例えばエレクトロニクス、光学デバイス、フォトニクス、ファインケミカル合成用試薬、顔料、および触媒が提供される。

請求項（抜粋）：

(a)タングステン;および (b)タングステン以外の少なくとも1つの金属 を含み、ナノ顔料である、ナノ材料組成物。

IPC (6件)：

C09C 1/00 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C09C 3/06 ,  C09D 11/00 ,  C01G 41/00

FI (6件)：

C09C1/00 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C09C3/06 ,  C09D11/00 ,  C01G41/00 Z

Fターム (22件)：

4G048AA01 ,  4G048AA02 ,  4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC04 ,  4G048AC05 ,  4G048AC08 ,  4G048AE05 ,  4G048AE06 ,  4G048AE07 ,  4J037AA04 ,  4J037AA06 ,  4J037AA08 ,  4J037DD05 ,  4J037DD09 ,  4J037DD20 ,  4J037EE19 ,  4J037EE25 ,  4J037EE29 ,  4J037FF01 ,  4J039BA13 ,  4J039BA28

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 米国特許第6,344,271号
  
• 米国特許出願第09/638,977号
  
• 米国特許出願第10/004,387号
  
• 米国特許出願第10/071,027号
  
• 米国特許出願第10/113,315号
  
• 米国特許出願第10/292,263号
  

審査官引用 (3件)

• 特許第6228904号
  
• アモルファスベース金属の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-003681   出願人：ラットジャーズ,ザステートユニバーシティオブニュージャージー
• 赤外線遮蔽材料微粒子分散体および赤外線遮蔽体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-101616   出願人：住友金属鉱山株式会社