特許

J-GLOBAL ID：200903087789868470

半導体記憶装置

発明者： 大石 司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066893
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268596
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 効率的にプログラム可能であり、かつ高速なスペアによる救済が可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリコア部1000は、プログラム部20および電圧供給部30を備える。プログラム部20は、プログラム構成部22、ラッチ部24およびアドレス比較部26を含む。プログラム構成部22は、プログラム電圧によりブローされる電気フューズを含んでいる。電圧供給部30は、救済アドレスごとに、プログラム部20にプログラム電圧を供給する。ラッチ部24は、転送信号TGに基づき、プログラム構成部20におけるプログラム状態を保持する。アドレス比較部26は、入力アドレスとラッチしたプログラム状態に基づき、スペア判定結果を出力する。

請求項（抜粋）：

行列状に配置される複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイに含まれる不良メモリセルを救済するための複数のスペアメモリセルと、複数のアドレスプログラム回路とを備え、前記複数のアドレスプログラム回路のそれぞれは、プログラム電圧により前記不良メモリセルを前記救済するための救済アドレスをプログラムすることが可能であって、前記プログラム電圧を外部から受けるパッドと、前記複数のアドレスプログラム回路のそれぞれに対して、前記プログラム電圧を選択的に供給する電圧供給回路とをさらに備える、半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 29/00 603 ,  G11C 29/00 ,  G11C 11/401 ,  G11C 16/06 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (8件)：

G11C 29/00 603 L ,  G11C 29/00 603 J ,  G11C 29/00 603 K ,  G11C 11/34 362 H ,  G11C 11/34 371 D ,  G11C 17/00 639 A ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 681 F

Fターム (22件)：

5B024AA09 ,  5B024BA18 ,  5B024BA29 ,  5B024CA07 ,  5B024CA16 ,  5B024CA17 ,  5B025AA07 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD13 ,  5F083AD00 ,  5F083EP00 ,  5F083LA06 ,  5F083ZA10 ,  5L106AA01 ,  5L106CC04 ,  5L106CC05 ,  5L106CC13 ,  5L106CC17 ,  5L106CC21 ,  5L106CC32 ,  5L106GG07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体メモリのセルフリペア装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-232345   出願人：三星電子株式会社