半導体メモリのセルフリペア装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-232345
公開番号（公開出願番号）：特開平9-120694
出願日： 1996年09月02日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】メモリセルテストと同時に検出された欠陥メモリセルをリペアするセルフリペア装置を提供する。【解決手段】試験装置12はテスト開始でエネーブル信号REを出力し、スペアロー回路SRC14、スペアカラム回路SCC16、リペアモード選択器18、スペアロー選択器20、スペアカラム選択器22へ供給する。リペアモード選択器18によりロー又はカラム代替が決定され、優先的にスペアロー選択信号PRSELが出力される。欠陥検出でエラーパルスERRが出力されると最初は信号PRSEL及びスペアロー選択器20による信号SROW1を入力するSRC14aが信号RE,ERRに応じて欠陥アドレスのヒューズプログラムを自動的に行う。この最初のプログラムが終わるとSRC14aはシフトクロックPRS1をスペアロー選択器20へ供給し、これに応答じるシフトでスペアロー選択信号SROW2が活性化される。次の欠陥検出ではSRC14bによりヒューズプログラムが自動的に実行される。

請求項（抜粋）：

多数のノーマルメモリセルと多数のスペアメモリセルを備える半導体メモリのセルフリペア装置において、ノーマルメモリセルのアドレス信号を順次供給して欠陥メモリセルを検出し、これに応じた欠陥検出情報及び欠陥アドレス信号を発生する欠陥メモリセル検出手段と、電気的切断可能な多数のヒューズを含み、前記欠陥検出情報の入力と前記欠陥アドレス信号の入力に応答して前記多数のヒューズのうち欠陥メモリセルのアドレスに対応したヒューズを切断して欠陥アドレスを自動的にプログラムするプログラム手段と、を備えることを特徴とするセルフリペア装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-274679 出願人：三菱電機株式会社
アレイ組込み自己試験システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-000102 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-108648 出願人：九州日本電気株式会社

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