シリコン光素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西澤利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-138339
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335578
出願日： 1995年06月05日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【構成】多孔質シリコンの製造過程において、外部磁界を利用した陽極酸化、または、微弱な電流レベルでの静的な陽極酸化、その後の光照射およびそれらを組み合わせた方法による陽極酸化によって、高品質な多孔質シリコンを製造する。【効果】発光効率の向上、フォトルミネセンススペクトルの狭帯化、発光応答の高速化、さらに単一成分化していることを特徴とする高品質な可視発光性多孔質シリコンを形成できる。この高品質な多孔質シリコンを利用することで、可視域の受光、発光、導波、光共振、光増幅機能を備えたシリコン光集積素子を製造することが可能となり、応用範囲は非常に広く、発展性や波及力もきわめて大きい。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面をHF溶液中で陽極酸化処理する多孔質シリコン素子の製造において、陽極酸化処理の過程でシリコン基板に対して磁界を印加することを特徴とする多孔質シリコン光素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 , G02B 6/13 , H01L 21/322 , H01L 27/15 , H01L 31/0248 , H01S 3/18

FI (6件)：

H01L 21/316 T , H01L 21/322 , H01L 27/15 C , H01S 3/18 , G02B 6/12 M , H01L 31/08 G

引用特許：

出願人引用 (9件)

ポーラス半導体発光装置と製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-060595 出願人：富士通株式会社
ウェットエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-020569 出願人：日本電装株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-294033 出願人：株式会社ジャパンエナジー

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