半導体センサ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松井伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-042748
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243783
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】半導体センサの小型化の障害となる応力や撓みを低減できるような半導体センサチップを備えた半導体センサを提供すること【解決手段】半導体センサチップ11を基板12にベアチップ実装するに際し、センサチップの裏面11aに設けた電極と、基板の配線パターンとを導通する金属柱13を設ける。この金属柱は、第1金属突起13aと第2金属突起13bを積み重ねることにより形成する。これにより、従来にくらべて各段に高い金属柱ができ、応力や撓みの伝達を抑制し、半導体センサの測定精度を維持することができる。よって、半導体センサが小型化される。

請求項（抜粋）：

回路基板上に半導体センサチップを実装するとともに、前記半導体センサチップの電極と前記回路基板の配線の間に金属柱を介在させてなる半導体センサであって、前記金属柱は、複数の金属突起が積み重なって構成されていることを特徴とする半導体センサ。

Fターム (8件)：

5F044KK02 , 5F044KK17 , 5F044KK19 , 5F044LL04 , 5F044LL07 , 5F044QQ02 , 5F044QQ04 , 5F044RR19

引用特許：

審査官引用 (2件)

光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-194139 出願人：オリンパス光学工業株式会社
バンプの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-132079 出願人：松下電器産業株式会社

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