特許
J-GLOBAL ID:200903087831763411
半導体レーザモジュール及び半導体レーザモジュールを用いた光通信システム
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
春日 讓
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-308977
公開番号(公開出願番号):特開平9-146055
出願日: 1995年11月28日
公開日(公表日): 1997年06月06日
要約:
【要約】【課題】本発明の目的は、電解吸収型外部変調器を集積した半導体レーザ素子を光源とした半導体レーザモジュールにおける半導体レーザの経時変化を補正して、安定した光ファイバ出力の得られる半導体レーザモジュールを提供するにある。【解決手段】半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子22と、この半導体レーザ素子22と集積され、半導体レーザ素子22からの出力光を変調する電界吸収型外部変調器24とを有している。光出力制御回路200の中のレーザ出力制御回路は、電界吸収型外部変調器24を流れる光電流の平均値を検出し、この平均値が所定値となるように、半導体レーザ素子22を駆動する駆動電流を制御して半導体レーザ素子22の光ファイバ出力が一定になるように制御する。
請求項(抜粋):
半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子と集積され、半導体レーザ素子からの出力光を強度変調する電界吸収型外部変調器とを有する半導体レーザモジュールにおいて、上記電界吸収型外部変調器を流れる光電流の最大値及び最小値を検出し、この最大値及び最小値の比が所定の値になるように、上記電界吸収型外部変調器に与える変調信号を制御して、上記電界吸収型外部変調器の出力光の消光比が一定になるように制御する変調出力制御手段とを備えたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (4件):
G02F 1/015 502
, H01S 3/096
, H01S 3/103
, H01S 3/18
FI (4件):
G02F 1/015 502
, H01S 3/096
, H01S 3/103
, H01S 3/18
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特開平3-073915
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半導体光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-019691
出願人:日本電信電話株式会社
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特開平4-162481
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