特許

J-GLOBAL ID：200903087842881530

シャワーヘッド構造及びこれを用いた成膜装置

発明者： 網倉 学 ,  岩田 輝夫
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-363448
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129712
出願日： 2003年10月23日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】 ガス噴射面の原料ガス噴射口の近傍に不要な薄膜が堆積することを防止することが可能なシャワーヘッド構造を提供する。【解決手段】 真空雰囲気中の処理空間Sに対して成膜用の原料ガスと原料ガス以外のガスである支援ガスとを供給するシャワーヘッド構造6において、ガス噴射面8を有するシャワーヘッド本体56と、シャワーヘッド本体内に形成されて前記原料ガスを拡散させる第1の拡散室60と、シャワーヘッド本体内に形成されて前記支援ガスを拡散させる第2の拡散室62と、第1の拡散室に連通されると共に、ガス噴射面に形成された複数の原料ガス噴射口10Aと、第2の拡散室に連通されると共に、原料ガス噴射口に接近して該原料ガス噴射口を囲むようにしてガス噴射面に形成された複数の第1支援ガス噴射口10Bとを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被処理体の表面に薄膜を堆積させるために真空雰囲気中の処理空間に対して成膜用の原料ガスと前記原料ガス以外のガスである支援ガスとを供給するシャワーヘッド構造において、 ガス噴射面を有するシャワーヘッド本体と、 前記シャワーヘッド本体内に形成されて前記原料ガスを拡散させる第1の拡散室と、 前記シャワーヘッド本体内に形成されて前記支援ガスを拡散させる第2の拡散室と、 前記第1の拡散室に連通されると共に、前記ガス噴射面に形成された複数の原料ガス噴射口と、 前記第2の拡散室に連通されると共に、前記原料ガス噴射口に接近して該原料ガス噴射口を囲むようにして前記ガス噴射面に形成された複数の第1支援ガス噴射口と、 を備えたことを特徴とするシャワーヘッド構造。

IPC (2件)：

H01L21/31 ,  C23C16/455

FI (2件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/455

Fターム (28件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045EE20 ,  5F045EF05 ,  5F045EF09 ,  5F045EF13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 低比誘電率膜のための堆積チャンバ及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-122227   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド