特許

J-GLOBAL ID：200903087845350896

強磁性トンネル素子及びその製造方法

発明者： 渦巻 拓也 ,  山岸 亙 ,  小林 和雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-259938
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106514
出願日： 1995年10月06日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 強磁性トンネル素子の保磁力差を基板加熱法以外の方法で形成する,及び絶縁体から強磁性体への酸素の拡散を防ぐ。【解決手段】 1)強磁性体層/絶縁体層/強磁性体層の3層構造からなるトンネル接合を有し,該トンネル接合の一方の強磁性体層の外側上に反強磁性体層を積層してなる,2)前記強磁性体層を成膜中のガス圧を変化させることにより,両方の強磁性体の保磁力差を形成する,3)前記強磁性体層を成膜中のガス圧及び成膜温度を変化させることにより,両方の強磁性体の保磁力差を形成する,4)前記強磁性体層を成膜を磁場中にて行うことにより,両方の強磁性体の保磁力差を形成する,5)強磁性体層/絶縁体層/強磁性体層の3層構造からなるトンネル接合を有し, 該トンネル接合の絶縁体の少なくとも片側に金属層が挿入されてなる。

請求項（抜粋）：

強磁性体層/絶縁体層/強磁性体層の3層構造からなるトンネル接合を有し,該トンネル接合の一方の強磁性体層の外側上に反強磁性体層を積層してなることを特徴とする強磁性トンネル素子。

IPC (2件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/00

FI (2件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-103014
  
• 磁気抵抗複合素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-244448   出願人：三菱マテリアル株式会社