特許
J-GLOBAL ID：200903087849046946

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
副島 玲子

副島 玲子 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-139491
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332365
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子及びその製造方法に関し、基板側電極、特に、n側電極をオーミック化するための熱処理温度を低温化し、活性層の劣化を防止する。【解決手段】 一導電型SiC基板の一方の主面上に少なくとも発光層を含むナイトライド系化合物半導体層を設けるとともに、一導電型SiC基板の他方の主面と基板側電極との間に半導体層を設ける。
請求項（抜粋）：
一導電型SiC基板の一方の主面上に少なくとも発光層を含むナイトライド系化合物半導体層を設けた半導体発光素子において、前記一導電型SiC基板の他方の主面と基板側電極との間に半導体層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01S 3/18 677 ,  H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C
Fターム (20件)：
5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA92 ,  5F041FF16 ,  5F073AA51 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB22 ,  5F073DA16 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 化合物半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-033662   出願人：シャープ株式会社
  • 特開昭59-214224

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