特許
J-GLOBAL ID：200903087875019574
強誘電体メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-057505
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273297
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、酸化物強誘電体薄膜内部の吸着水の存在に起因する絶縁耐圧特性、強誘電体の分極反転時の劣化が低減することを主要な目的とする。【構成】 Si基板(41)と、この基板(41)上に設けられ、下部電極(51)、強誘電体薄膜(52)、上部電極(53)を順次積層して構成される強誘電体薄膜キャパシタ(50)と、前記強誘電体薄膜キャパシタ(50)及びSi基板(41)表面を直接接触して被覆する金属酸化物膜であり、水と反応して硬化する金属有機化合物を加熱焼成して形成される第1の保護膜(54)と、この第1の保護膜(54)を被覆する水素ガス遮断性の第2の保護膜(55)とを具備することを特徴とする強誘電体メモリ。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板上に設けられ、下部電極、酸化物強誘電体薄膜、上部電極を順次積層して構成される強誘電体薄膜キャパシタと、前記強誘電体薄膜キャパシタ及び半導体基板表面を直接接触して被覆する金属酸化物膜であり、水と反応して硬化する金属有機化合物を加熱焼成して形成される第1の保護膜と、この第1の保護膜を被覆する水素ガス遮断性の第2の保護膜とを具備することを特徴とする強誘電体メモリ。
IPC (6件)：
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 325 J
