特許
J-GLOBAL ID：200903087887459294

横方向電流注入型面発光半導体レーザ装置、その製造方法および半導体レーザアレイ

発明者：
植木 伸明

植木 伸明 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-012539
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209565
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 製造が容易で再現性が高く、特性が良好でかつ2次元アレイ化の容易な面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】 本発明の第1の特徴は、基板と垂直な方向に光を放出するように構成された面発光型半導体レーザにおいて、半導体基板上で活性層が上部および下部の半導体多層反射膜により挟まれた光共振器構造を有し、少なくとも前記上部半導体多層反射膜の発光領域直上領域を除く領域が除去されてなる柱状構造を有し、前記上部半導体多層反射膜除去領域の一部に、第1導電型の第1の不純物拡散領域を形成するとともに、前記上部半導体多層反射膜除去領域の他の一部に、第2導電型の第2の不純物拡散領域を形成し、これら第1および第2の不純物拡散領域を介して電流の注入を行うようにしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上で活性層が上部および下部の半導体多層反射膜により挟まれた光共振器構造を有し、少なくとも前記上部半導体多層反射膜の発光領域直上を除く領域が除去されてなる柱状構造を有し、前記上部半導体多層反射膜除去領域の一部に、第1導電型の第1の不純物拡散領域を形成するとともに、前記上部半導体多層反射膜除去領域の他の一部に、第2導電型の第2の不純物拡散領域を形成し、これら第1および第2の不純物拡散領域を介して電流の注入を行うようにしたことを特徴とする横方向電流注入型面発光半導体レーザ装置。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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