特許

J-GLOBAL ID：200903087895055860

ヘテロタクチシチーに富むポリビニルアルコールの 製造方法

発明者： 山田 和信 ,  岡本 佳男 ,  中野 環 ,  澤本 光男 ,  北畠 千嗣 ,  寺田 和俊 ,  井田 大嗣 ,  加納 芳明 ,  沖 祥嘉 ,  岡野 善道 ,  西村 政通
出願人/特許権者： 財団法人 化学技術戦略推進機構
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-194871
公開番号（公開出願番号）：特開2000-026537
出願日： 1998年07月09日
公開日（公表日）： 2000年01月25日
要約：

【要約】【課題】 ヘテロタクチシチーの高いPVAを製造する方法を提供する。【解決手段】 次式【化1】(式中、R1 およびR2 は、各々、その一部が塩素原子で置換されていてもよいフッ素化炭化水素基を示し、R3 は、炭化水素基、フッ素化炭化水素基、フッ素原子、塩素原子、または水素原子を示す)で表わされ、かつ、pKaが4以上10未満であるフッ素含有分岐アルコール溶媒中において、次式【化2】(式中、R4 およびR5 は、各々、炭素数1ないし6の炭化水素基を示し、R6は炭素数1ないし6の炭化水素基または水素原子)で表されるビニルエステルを重合し、次いで鹸化することを特徴とする、ヘテロタクチシチー(mr三連子)が50%以上のポリビニルアルコールを製造する。

請求項（抜粋）：

次式【化1】(式中、R1 およびR2 は、各々、その一部が塩素原子で置換されていてもよいフッ素化炭化水素基を示し、R3 は、炭化水素基、フッ素化炭化水素基、フッ素原子、塩素原子、または水素原子を示す)で表わされ、かつ、pKaが4以上10未満であるフッ素含有分岐アルコール溶媒中において、次式【化2】(式中、R4 およびR5 は、各々、炭素数1ないし6の炭化水素基を示し、R6は炭素数1ないし6の炭化水素基または水素原子)で表されるビニルエステルを重合し、次いで鹸化することを特徴とする、ヘテロタクチシチー(mr三連子)が50%以上のポリビニルアルコールの製造方法。

IPC (4件)：

C08F 16/06 ,  C08F 2/06 ,  C08F 8/12 ,  C08F 18/04

FI (4件)：

C08F 16/06 ,  C08F 2/06 ,  C08F 8/12 ,  C08F 18/04

Fターム (13件)：

4J011AA05 ,  4J011HA04 ,  4J100AD01Q ,  4J100AD02Q ,  4J100AD04Q ,  4J100AG02P ,  4J100AG04P ,  4J100AG05P ,  4J100CA01 ,  4J100CA10 ,  4J100FA19 ,  4J100HA09 ,  4J100HB39