半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：舘野千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-344956
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176609
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】ロコス酸化膜形成後に全面イオン注入によりロコス酸化膜の下にチャネルストッパを形成する製造方法において、活性化領域におけるジャンクション容量やVTの基板電位効果を改善させてトランジスタの回路特性を向上し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 P型シリコン基板1上にロコス酸化膜8を形成し、全面イオン注入にチャネルストッパ7を形成する。このチャネルストッパ7は活性化領域下に延在するが、その後、ロコス酸化膜8をマスクとして第2の導電型の不純物を注入し、ソース・ドレイン領域との界面にP型シリコン基板1の不純物濃度とほぼ等しい不純物領域7aを形成する。これにより、ジャンクション容量およびVTの基板電位効果の改善が図れる。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板上にロコス酸化膜が形成され、該ロコス酸化膜下には前記半導体基板よりも不純物濃度の濃い寄生トランジスタ防止用の第1の導電型の不純物領域を有し、前記半導体基板面内の活性化領域には第2の導電型のソース・ドレイン領域が形成され、かつ前記半導体基板上にはゲート酸化膜を介してゲート電極が形成された半導体装置であって、前記不純物領域が、前記活性化領域の下まで延在すると共に、前記ソース・ドレイン領域との界面では前記半導体基板の不純物濃度と同程度の濃度を有するものから形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/76 , H01L 21/265 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/76 S , H01L 21/265 H , H01L 21/265 J , H01L 27/08 321 B , H01L 29/78 301 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-257543 出願人：松下電器産業株式会社

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